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-rays大島 武; 岩本 直也; 小野田 忍; 牧野 高紘; 野崎 眞次*; 児島 一聡*
Materials Science Forum, 679-680, p.362 - 365, 2011/03
被引用回数：1 パーセンタイル：57.07(Engineering, Multidisciplinary)炭化ケイ素(SiC)デバイスのイオン照射効果研究の一環として、n型六方晶(6H)SiC上に作製した金属-酸化膜-半導体(MOS)キャパシタへ15MeV酸素マイクロビームを入射し、発生するイオンビーム誘起過渡電流(TIBIC)を評価した。その結果、入射イオン数の増加とともにTIBICシグナルのピーク高さが低下し、最終的にはTIBICピーク値が一定になることが見いだされた。また、電荷収集時間はTIBICピーク値が低下するとともに長くなることも判明した。しかし、順方向電圧(1V)を印加し、再度、測定を行ったところ、低下していたピーク値が初期値まで回復し、さらに測定を続けると、徐々に低下して最終的に飽和するという最初の測定と同様な振る舞いを示すことが明らかとなった。順方向電圧によりTIBICシグナルが回復することから、半導体と酸化膜界面に存在する深い準位を持った正孔トラップがこの起源であることが推測される。52kGyの線照射によって、TIBICシグナルの若干の減少が観測されたが、線照射試料においても、同様なピーク値の減少と飽和、及び順方向電圧印加による回復が観察され、SiC MOSキャパシタのイオン照射効果では深い準位を持つ正孔トラップの存在を考慮する必要があると結論できた。
/4H-SiC interfaces and its modulation induced by intrinsic and extrinsic interface charge transfer渡部 平司*; 桐野 嵩史*; 景井 悠介*; Harries, J.; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 箕谷 周平*; 中野 佑紀*; 中村 孝*; 細井 卓治*; et al.
Materials Science Forum, 679-680, p.386 - 389, 2011/03
被引用回数：25 パーセンタイル：99.53(Engineering, Multidisciplinary)In this study, we investigated the energy band structure of SiO/4H-SiC fabricated on (0001) Si- and (000-1) C-face substrates by means of synchrotron radiation X-ray photoelectron spectroscopy, and discuss intrinsic and extrinsic effects of interface structure and electrical defects on the band offset modulation. It was found that valence band offset of the SiO/SiC for the C-face substrate was about 0.4 eV larger than that for the Si-face. Our photoelectron analysis revealed that the conduction band offset that determines gate leakage current and resultant gate oxide reliability of SiCMOS devices crucially depends on substrate orientation. Moreover, we found that the fixed charges accumulated at the SiO/SiC interface modulate the energy band structure to enlarge conduction band offset and that this extrinsic band structure modulation is again recovered by post treatments for defect termination.
